You are here:

Metody badawcze

Metody badawcze
0 votes, 0.00 avg. rating (0% score)

rp_nauka80.jpgZarówno dla badań jakości procesów domieszkowania, jak i badań defektów radiacyjnych, towarzyszących procesowi implantacji, stosuje się szereg metod badawczych, spośród których do najważniejszych należą metody rentgenowskie i mikroskopii elektronowej , Z metod umożliwiających określenie typu defektów radiacyjnych należy wymienić: metody elektronowego rezonansu paramagnetycznego , metody optyczne , metody badań zjawisk kanałowania i rozpraszania cząstek alfa i protonów , metody mikroskopii elektronowej , metody rentgenowskie oraz metody określania głębokich poziomów elektrycznych takie, jak: metoda prądów i pojemności termostymulowanych, metoda nierównowagowych charakterystyk C-U, metoda pomiarów czasów życia, które są przedmiotem ciągłego rozwijania i licznych publikacji. Z metod umożliwiających pomiar rozkładu defektów radiacyjnych towarzyszących procesowi implantacji należy wymienić: metodę elektronowego rezonansu paramagnetycznego połączoną ze zdejmowaniem cienkich warstw , metodę kanałowania jonów , oraz metody mikroskopii elektronowej . Określanie położeń sieciowych zajmowanych przez implantowane atomy przeprowadza się na drodze badań procesów kanałowania i rozpraszania cząstek alfa i protonów . Opis wymienionych metod stosowanych do określania defektów wywołanych domieszkowaniem wykracza poza ramy niniejszej książki. Zainteresowany Czytelnik znajdzie ich szczegóły w cytowanych monografiach i pracach źródłowych.

Przeczytaj także: Domieszkowanie

Proces domieszkowania na drodze implantacji jest prowadzony w próżni w temperaturze zbliżonej do pokojowej, co gwarantuje jego czystość i brak zmian parametrów materiału związanych z procesami wysokotemperaturowymi. Możliwe jest też domieszkowanie na drodze implantacji związków półprzewodnikowych, których dysocjacja w podwyższonych temperaturach bardzo utrudnia domieszkowanie na drodze dyfuzji. Współczesne źródła jonów umożliwiają uzyskanie dowolnych jonów, które po przyspieszeniu są wprowadzane do domieszkowanej płytki; w ten sposób jest możliwe domieszkowanie krzemu jonami azotu lub indu, co jest trudne do osiągnięcia na drodze dyfuzji. Proces implantacji jonów stwarza możliwość domieszkowania poprzez warstwy pasywujące. Grubsze tlenki, warstwy kopiowe, metalizacje stanowią dobre maski i stwarzają możliwość łatwego maskowania obszarów, które nie powinny być domieszkowane. Rozmycie implantowanych jonów pod krawędzią masek jest małe. Daje to możliwość dokładnej kontroli bocznych wymiarów obszarów domieszkowanych, umożliwia ich zmniejszenie, przez co staje się możliwe wykonanie układów niemożliwych do uzyskania na innej drodze. Elektryczne metody omiatania płytek przez wiązkę jonów stwarzają możliwość uzyskania dużej jednorodności i powtarzalności domieszkowania. Procesowi implantacji domieszek towarzyszy powstawanie defektów radiacyjnych. Zjawisko to w zasadzie wpływa ujemnie na jakość warstw domieszkowanych na drodze implantacji. Istnieją jednak możliwości wykorzystania defektów radiacyjnych dla pożądanych zmian właściwości materiałów.

Posted by: admin

Related articles
 

Slowa kluczowe: Drepo zadaszenia tarasów, Sieciowy amplituner AV Yamaha RX-A850, firma otwierająca sejfy awaryjnie - Warszawa, onlynails cennik, Fotoodmładzanie żary, kaplica Santori, busy do danii szamotuły, kostka fakturowana producent, kubota l3200 cena, Minikoparka Gorlice, Sieciowy amplituner AV Yamaha RX-A3050

Back to Top

gabloty ekspozycyjne - Paraga Centrum, Umywalka Simas Evolution 58x42cm EVO10, przeszczep chrząstki warszawa, Umywalka Simas Arcade 37x28 cm AR035, Umywalka Simas Frozen 91x50,5cm U90, Umywalka Simas Arcade 105x56cm AR874, Wzmacniacz zintegrowany Yamaha A-S1100, Primacon taśmy transportowe, Umywalka Simas Flow 39,5x50cm FL15, depilacja laserowa n25dane; ?>